目今
，随着半导体手艺一直微缩
，先进的集成电路器件已从平面向三维结构转变
，集成电路制造工艺正变得越来越重大
，往往需要经由几百甚至上千道的工艺办法。关于先进的半导体器件制造
，每经由一道工艺
，硅片外貌都会或多或少的保存颗粒污染物、金属残留或有机物残留等
，器件特征尺寸的一直缩小和三维器件结构的日益重大性
，使得半导体器件对颗粒污染、杂质浓度和数目越来越敏感。

　　对硅晶元上掩模外貌的污染微粒的洗濯手艺提出了更高的要求
，其要害点在于战胜污染微颗粒与基材之间极大的吸附力
，现在许大都导体厂家的洗濯方法都是酸洗、人工擦拭
，效率慢不说
，还会爆发二次污染。那现在什么样的洗濯方法较量适合在半导体产品上的洗濯呢?激光洗濯是现在来说较量合适的一种方法
，当激光扫描已往
，质料外貌的污垢都被扫除
，并且关于误差中的污垢都可以轻松得去除
，不会刮花质料外貌
，也不会爆发二次污染
，是一种定心的选择。

　　另外
，随着集成电路器件尺寸一连缩小
，洗濯工艺历程中的质料损失和外貌粗糙度成为必需关注的问题
，将微粒去除而又没有质料损失和图形损伤是最基本的要求
，激光洗濯手艺具有非接触性、无研磨的特征
，不会对基材外貌爆发损伤
，不会爆发二次污染
，是解决半导体器件污染最佳的洗濯要领。